MA3223C 时间：2025/12/24 16:23:40 阅读：14

MA3223C是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等应用。MA3223C采用SOT-23封装，适用于表面贴装技术，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：MOSFET
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：5.6A（连续）
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值23mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
　　最大功耗：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MA3223C采用先进的Trench MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)最大值为23mΩ，使得该器件能够在高电流应用中保持较低的功率损耗。
　　该MOSFET具备较高的电流承载能力，额定漏极电流为5.6A，适用于需要较高电流的电源管理场合。同时，其最大栅源电压为±20V，提供了良好的栅极保护，确保在各种工作条件下器件的稳定性。
　　MA3223C的阈值电压（VGS(th)）范围为1V~2.5V，使其能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，适用于多种驱动电路设计。该器件的高耐压能力（VDS=30V）使其在多种电压转换应用中表现出色。
　　此外，MA3223C具有良好的热稳定性和可靠性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内工作，适用于工业级和汽车电子应用。其SOT-23封装形式便于表面贴装，节省PCB空间，适合高密度电路设计。

应用

MA3223C广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和低功耗的电源转换应用。
　　在DC-DC转换器中，MA3223C可以作为主开关器件，帮助提高转换效率并减少发热。在负载开关应用中，该MOSFET能够有效控制电源的通断，适用于便携式电子设备、笔记本电脑和服务器电源管理模块。
　　此外，MA3223C还可用于电机驱动电路、LED驱动器和工业自动化控制系统中，提供可靠的开关性能和良好的热管理能力。