时间：2025/12/25 12:23:06
阅读：26
RSS090P03FU7TB是一款由Rohm Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备低导通电阻、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种便携式电子设备和工业控制电路中的负载开关、电源切换及电机驱动等场景。其小型化封装有助于节省PCB空间，同时保证了较高的功率密度。该MOSFET在工作时无需额外的驱动电路即可实现快速响应，提升了整体系统效率。
该型号的主要优势在于其极低的漏源导通电阻（RDS(on)），可在低电压应用中显著降低功耗，减少发热，提高能效。此外，它具有较高的雪崩耐受能力和良好的抗干扰特性，能够在恶劣的电气环境中稳定运行。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级认证，适合用于汽车电子系统如车身控制模块、LED照明驱动、电池管理系统等领域。
型号：RSS090P03FU7TB
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDSS)：-30V
最大连续漏极电流(ID)：-5.2A
最大脉冲漏极电流(IDM)：-14A
最大栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on) max)：9.0mΩ @ VGS = -10V
导通电阻(RDS(on) typ)：7.0mθ @ VGS = -10V
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：860pF @ VDS=15V
输出电容(Coss)：240pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：22ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：UMPA（双引脚）
安装方式：表面贴装(SMT)
RSS090P03FU7TB采用Rohm先进的沟槽栅极MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其典型RDS(on)仅为7.0mΩ，在P沟道器件中属于领先水平，这使得在电源路径上的功率损耗大幅下降，尤其适用于对能效要求严格的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。低导通电阻还意味着在相同电流下产生的热量更少，从而降低了对散热设计的要求，有助于简化系统结构并提升可靠性。
该器件具备出色的动态性能，输入电容Ciss为860pF，输出电容Coss为240pF，使其在高频开关应用中表现出色。较低的寄生电容减少了开关过程中的能量损耗，提高了转换效率。同时，反向恢复时间trr仅为22ns，表明体二极管具有较快的恢复能力，有效抑制了开关瞬间的电流尖峰和电磁干扰，提升了系统的EMI性能。这对于DC-DC转换器、同步整流电路等高频拓扑尤为重要。
在可靠性方面，RSS090P03FU7TB经过严格的质量控制流程生产，具备高抗浪涌能力和良好的热稳定性。其最大结温可达150°C，支持在高温环境下长期稳定运行。器件通过AEC-Q101认证，表明其满足汽车电子应用中对温度循环、湿度敏感性、机械强度等方面的严苛要求，因此广泛应用于车载信息娱乐系统、车灯控制、电动门窗驱动等场景。
此外，该MOSFET采用UMPA小型表面贴装封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局。双引脚设计简化了布线复杂度，提升了装配效率。整体上，RSS090P03FU7TB是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，兼顾低功耗、小体积与强适应性，是现代电子系统中理想的功率开关元件。
主要用于便携式电子设备的电源管理，如智能手机和平板电脑中的负载开关；
适用于各类DC-DC转换器电路，特别是同步降压拓扑中的高端或低端开关；
广泛用于汽车电子系统，包括车身控制模块、LED前照灯驱动、电动座椅与车窗控制单元；
可用于电池供电设备中的反向极性保护电路和热插拔控制；
适用于工业自动化控制系统中的继电器替代和电机驱动电路。
SMP090P03FU7
