MA1Z062-TX 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关晶体管,广泛应用于高频电源转换、DC-DC转换器和无线充电等场景。该器件采用了先进的封装工艺,具备高耐压、低导通电阻和快速开关的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的效率和稳定性。
该芯片的设计使其在小尺寸封装中实现了高性能表现,特别适合需要高功率密度和高效能的应用环境。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:8A
导通电阻:60mΩ
栅极电荷:90nC
反向恢复时间:75ns
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
MA1Z062-TX 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,能够承受高达650V的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,仅为60mΩ,有效减少了传导损耗。
3. 快速开关性能,其反向恢复时间仅为75ns,支持高频操作,从而提高系统效率。
4. 内置过温保护和过流保护功能,提升了系统的安全性和可靠性。
5. 小型化设计,采用紧凑的表面贴装封装形式,节省了PCB空间。
6. 宽广的工作温度范围,从-40℃到+150℃,适应各种恶劣环境条件。
MA1Z062-TX 主要应用于以下领域:
1. 高效电源适配器和充电器,尤其在快充技术中表现出色。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备和工业自动化等领域。
3. 无线充电系统,提供更高的能量传输效率。
4. LED驱动电路,为大功率LED照明提供稳定供电。
5. 太阳能逆变器中的功率调节模块,提升能源转换效率。
6. 消费类电子产品中的高频开关电源设计。
MA1Z062-DX
MA1Z062-SQ
MA2Z062-TX