MA0402YV683M100 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率电源转换应用设计。该芯片采用先进的封装工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适合应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
这款芯片在性能上表现优异,能够显著提高系统的整体效率并降低热损耗,同时其紧凑的尺寸也使其成为对空间要求较高的设计的理想选择。
型号:MA0402YV683M100
类型:GaN 功率晶体管
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):100mΩ
连续漏极电流(Id):40A
开关频率:高达 5MHz
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-4L
MA0402YV683M100 具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(100mΩ),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 支持高达 5MHz 的开关频率,能够满足高频应用需求,同时减小无源元件体积。
3. 内置保护功能,包括过流保护(OCP)、过温保护(OTP)等,提升了使用的安全性。
4. 高耐压能力(650V),确保在高压环境下稳定运行。
5. GaN 技术带来的卓越性能,可显著降低开关损耗和提升功率密度。
6. 封装坚固可靠,适用于恶劣的工作环境。
MA0402YV683M100 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器中的高频功率转换模块。
3. 电动车(EV)及混合动力车(HEV)中的车载充电器和逆变器。
4. 工业设备中的高效电机驱动电路。
5. 数据中心服务器电源和其他高性能计算设备的供电单元。
6. 快速充电器和适配器设计,支持 USB-PD 协议的高效率方案。
MPX4102A683M100
GXT0402Z683M100