类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：5A
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

JAN1N1185AR 具备一系列优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）能够减少导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件的高耐压特性使其适用于需要高电压隔离的工业和汽车应用。JAN1N1185AR 采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能，确保在高功率操作下保持稳定的工作温度。
　　这款 MOSFET 的栅极驱动要求较低，能够与常见的控制器或驱动器兼容，简化了电路设计。其高栅源电压（±20V）提供了更大的设计灵活性，并增强了器件在高噪声环境下的稳定性。此外，JAN1N1185AR 的快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和脉宽调制（PWM）控制系统。
　　该器件的可靠性在各种极端条件下都得到了验证，符合严格的汽车级和工业级标准，适用于对稳定性和耐用性要求较高的应用场景。

JAN1N1185AR 主要应用于需要高效功率管理的系统中。典型的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及各类工业控制设备。由于其具备高耐压能力和良好的热稳定性，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具、LED 照明驱动电路等。
　　在工业自动化和控制系统中，JAN1N1185AR 可用于继电器驱动、电磁阀控制以及高侧/低侧开关电路。其低导通电阻和高效率特性也有助于降低能耗，满足现代电子产品对节能环保的要求。

Si444N10DY-T1-GE3, IRFZ44N, FQP5N10L