MA0402YV273M250是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够有效提升系统的效率和稳定性。
此芯片属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足对功率密度和效率要求较高的应用场景需求。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:25A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:65nC
输入电容:1800pF
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗。
4. 具有出色的热稳定性和可靠性,适合高温环境下的长期运行。
5. 小型化封装设计,节省PCB空间并简化布局。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. DC-DC转换器及逆变器
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路
IRFZ44N
STP36NF06
FDP17N60