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PJF4NA65 发布时间 时间:2025/8/14 22:22:38 查看 阅读:24

PJF4NA65是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻和高耐压能力,适用于电源转换、电机控制以及工业自动化设备等领域。PJF4NA65在封装设计上采用的是TO-220形式,便于安装和散热。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏-源极电压(VDS):650V
  最大栅-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):2.2Ω(最大)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

PJF4NA65 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,其高耐压特性(VDS=650V)使得该器件非常适合用于高电压环境下的开关操作,如AC-DC电源转换器、开关电源(SMPS)等。此外,最大栅-源极电压为±20V,确保了栅极驱动电路的稳定性,并减少了栅极击穿的风险。
  其次,该器件的导通电阻RDS(on)最大为2.2Ω,较低的导通电阻意味着在导通状态下功率损耗更小,从而提高了整体系统的效率,并减少了散热需求。这对于高效率、高密度电源设计尤为重要。
  再者,PJF4NA65采用了TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用场景。这种封装也便于安装在散热片上,从而进一步提升器件的热稳定性。
  此外,该MOSFET具备较高的可靠性和耐用性,能够在较宽的工作温度范围内(-55°C至+150°C)稳定运行,适用于工业级和汽车电子等对稳定性要求较高的应用环境。

应用

PJF4NA65广泛应用于多种电力电子系统中,尤其是在需要高耐压和中等电流能力的场合。其主要应用包括开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电机控制电路、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。此外,由于其良好的热稳定性和封装设计,也适用于需要良好散热性能的功率调节模块。

替代型号

TK11A60D, 2SK2143, 2SK2545

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