时间：2025/6/30 17:25:54
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MA0402XR821K250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其它需要高开关频率和低损耗的应用场景。该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能，同时具备较高的击穿电压和较低的导通电阻，能够显著提升系统的整体效率。
这款功率晶体管在设计时充分考虑了高频工作环境下的稳定性与可靠性，其出色的动态特性使其成为高频功率转换应用的理想选择。
型号：MA0402XR821K250
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
输入电容（Ciss）：3500pF
输出电容（Coss）：75pF
反向传输电容（Crss）：15pF
开关速度：高达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0402XR821K250 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓（GaN）材料，确保更低的导通电阻和更高的开关速度，从而减少开关损耗。
2. 最大漏源电压为600V，适合高压应用场景，例如工业电源和电动汽车充电设备。
3. 支持高达25A的连续漏极电流，能够在高负载条件下保持稳定运行。
4. 工作温度范围宽广（-55℃至+175℃），适用于恶劣环境下的应用。
5. 极低的寄生电容值，特别是反向传输电容仅为15pF，有助于进一步提高高频开关性能。
6. 先进的封装技术，有效改善了热管理能力，使器件在高功率密度环境下表现优异。
MA0402XR821K250 广泛应用于以下领域：
1. 高频开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动车辆充电设备
4. 太阳能逆变器
5. 工业电机驱动
6. LED 照明驱动电路
7. 其他需要高效功率转换和高频工作的场景。
MA0402XR821K200, MA0402XR821K300
