LMUN5213DW1T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管阵列(BJT阵列)器件,属于数字晶体管(Digital Transistor)类别。该器件内部集成了两个NPN型晶体管,每个晶体管的基极都连接了一个串联的电阻网络(通常是一个基极电阻和一个下拉电阻),使其适用于数字电路中的开关应用。该封装为SOT-363(也称为SC-88A),是一种小型化、节省空间的封装形式,适合高密度PCB设计。
类型:NPN双晶体管阵列
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极电流(IC):100mA
功率耗散(PD):200mW
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-363(SC-88A)
基极电阻:10kΩ(典型值)
下拉电阻:10kΩ(典型值)
LMUN5213DW1T1G 的主要特性之一是其内置的基极和下拉电阻,这使得该器件在使用时无需外部电阻即可实现稳定的开关操作,从而减少了PCB上元件的数量,简化了电路设计。
此外,该器件具有较高的开关速度,适用于数字逻辑电路、缓冲器、驱动电路等应用。其SOT-363封装形式不仅体积小巧,而且具有良好的热性能和机械稳定性,适用于便携式设备和高密度电子系统。
该器件的电气特性在宽温度范围内保持稳定,确保其在工业级环境中的可靠运行。LMUN5213DW1T1G 还具有良好的抗静电能力(ESD保护),增强了其在实际应用中的耐用性和稳定性。
值得一提的是,由于其内部电阻的集成设计,该器件非常适合用于逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制以及各种低功耗开关电路中。
LMUN5213DW1T1G 主要用于需要多个晶体管并希望简化外围电路的设计场合。常见应用包括数字逻辑电路中的开关元件、LED和小型继电器的驱动电路、缓冲器和电平转换器、便携式电子产品中的信号控制电路,以及工业控制系统中的低功耗开关应用。
例如,在微控制器系统中,该器件可用于驱动LED、小型电机或继电器线圈;在通信设备中,可用于信号路由和控制;在消费类电子产品中,可用于电源管理和信号切换等用途。
MMUN2214DW1T1G, DTC114EKA, FMMT2222A, BC847BDS