时间：2025/7/11 21:11:51
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MA0402XR563J100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，专为高频开关应用而设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和各种功率转换电路中。
该芯片封装形式紧凑，能够有效节省PCB空间，同时其高可靠性设计确保了在严苛环境下的稳定运行。
型号：MA0402XR563J100
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
IDS（连续漏极电流）：78A
栅极电荷：39nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
结温：175℃
MA0402XR563J100 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用，可显著降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，使其能够在大功率场景下稳定运行。
4. 小型化封装设计，便于实现高密度布局，节省电路板空间。
5. 强大的热性能，保证在高温环境下长期可靠工作。
6. 内置静电保护功能，增强器件的抗干扰能力。
7. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际法规要求。
MA0402XR563J100 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 电动汽车中的牵引逆变器和电池管理系统。
4. 充电器模块，如快充适配器。
5. 太阳能微逆变器和储能系统。
6. 各种需要高效功率转换和控制的电子设备。
MA0402XR563K100
IRF3205
FDP5500
STP75NF06L
