时间：2025/6/28 14:10:27
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500R14N181JV4T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高功率电子开关器件，属于增强型场效应晶体管（eGaN FET）。该器件主要应用于高频、高效率的电源转换场景，例如服务器电源、通信设备、工业电源和可再生能源系统等。其设计旨在替代传统的硅基MOSFET，提供更低的导通电阻、更高的开关速度以及更优的热性能。
额定电压：600V
最大漏极电流：35A
导通电阻：14mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：2370pF
输出电容：1230pF
反向恢复时间：无（因GaN特性，无体二极管）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
500R14N181JV4T 具有卓越的高频开关性能，得益于氮化镓材料的独特优势，能够在高频条件下保持较低的开关损耗和传导损耗。此外，该器件还具备零反向恢复电荷的特性，进一步提升了系统的效率和稳定性。
它的低导通电阻使得在大电流应用中发热减少，从而提高了整体可靠性。同时，该器件支持更快的开关频率，能够显著缩小磁性元件的尺寸，降低系统成本和体积。
GaN 技术带来的高击穿电压和高温适应能力，使该器件适用于恶劣的工作环境。另外，由于采用了第四代增强型工艺，其动态特性和静态特性均得到了优化，为用户提供了更宽广的设计裕度。
该器件广泛应用于高频DC-DC转换器、图腾柱PFC电路、硬开关和软开关拓扑、无线充电系统、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。其高频性能特别适合于现代小型化、轻量化和高密度的电力电子设计需求。
EPC2020
STGG600E060
GXT600R140E
