类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110至800，取决于等级
　　过渡频率（fT）：100MHz（最小值）
　　封装类型：SOT-23

LDTA115TET1G 是一款高性能的NPN晶体管，具备多项优良特性。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为50V，使其适用于中等电压放大和开关应用。晶体管的电流增益（hFE）在2mA工作电流下可达到110至800之间，具体数值取决于不同的等级，确保了在不同应用场景下的灵活性和高增益性能。
　　此外，该晶体管的过渡频率（fT）最低为100MHz，表明其能够在高频环境下保持良好的放大性能，适合用于射频和高速开关电路。LDTA115TET1G 的SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
　　晶体管的最大集电极电流为100mA，最大功耗为300mW，能够在有限的功耗条件下提供稳定的性能。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在各种工业和消费类环境中使用。此外，该器件的低噪声特性也使其适用于音频放大和信号处理等对噪声敏感的应用场景。

LDTA115TET1G 主要用于需要中等增益和高频响应的电子电路中。其典型应用包括音频放大器的前置放大级、射频（RF）放大器、低噪声放大器（LNA）、信号调节电路、模拟开关电路以及各种通用放大电路。此外，该晶体管还可用于数字电路中的开关元件，适用于微控制器外围接口电路、LED驱动电路等。
　　由于其高增益和低噪声特性，LDTA115TET1G 常用于便携式电子设备中的传感器信号放大，如温度传感器、压力传感器和光敏传感器等。在无线通信系统中，它也可用于射频前端的低噪声放大，以提高接收机的灵敏度。
　　在工业自动化和控制系统中，LDTA115TET1G 可用于构建各种线性放大电路和缓冲电路，实现信号的精确传输和处理。其SOT-23封装形式也使其非常适合表面贴装技术（SMT）生产线，提高制造效率。

BC547, 2N3904, PN2222A