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MA0402XR122K160 发布时间 时间:2025/7/8 22:31:59 查看 阅读:9

MA0402XR122K160 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,主要用于高效率电源转换和高频射频应用。该器件采用增强型设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于 DC-DC 转换器、无线充电模块、LED 驱动器以及各种工业级电源管理系统。
  该芯片结合了高性能与紧凑封装,能够显著提高系统的功率密度并降低能耗。

参数

型号:MA0402XR122K160
  类型:增强型功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  额定电压:650V
  额定电流:3A
  导通电阻:120mΩ
  栅极驱动电压:4V - 8V
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:DFN8(3mm x 3mm)

特性

MA0402XR122K160 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关性能,支持高达数 MHz 的开关频率,适合高频应用场景。
  3. 内置 ESD 保护电路,增强了器件的鲁棒性。
  4. 小型化的 DFN8 封装,节省 PCB 空间并便于散热设计。
  5. 完全兼容标准 MOSFET 栅极驱动信号,简化了设计流程。
  6. 高可靠性,在高温条件下仍能保持稳定的电气性能。

应用

这款 GaN 功率晶体管适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及 AC-DC 转换器。
  2. 无线充电发射端和接收端电路。
  3. LED 照明驱动器,尤其是对效率要求较高的场景。
  4. 电动汽车充电桩中的功率模块。
  5. 工业自动化设备中的电源管理单元。
  6. 高频逆变器和其他需要高效能量转换的场合。

替代型号

MA0402XR120K150
  MA0403XR150K180
  GAN063-650WSA

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