时间：2025/7/10 1:28:53
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MA0402CG820K500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的封装技术以优化热性能和电气特性，适用于电源转换、无线充电、LED 驱动器以及 D 类音频放大器等应用领域。
其核心优势在于能够提供高效率和快速开关速度，同时具备低导通电阻和良好的耐用性。
型号：MA0402CG820K500
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
Vds（漏源电压）：200V
Rds(on)（导通电阻）：1.6mΩ
Id（连续漏极电流）：40A
Qg（总栅极电荷）：30nC
Ciss（输入电容）：1200pF
fsw（最大开关频率）：5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0402CG820K500 的主要特点是结合了氮化镓材料的卓越性能与现代化制造工艺。
1. 超低导通电阻 Rds(on)，确保在高负载条件下维持高效率。
2. 快速开关速度使其非常适合高频应用，减少磁性元件体积并提升功率密度。
3. 内置保护功能包括过流保护和短路保护，增强了系统可靠性。
4. 小尺寸封装有助于节省 PCB 空间，并支持更紧凑的设计。
5. 极低的栅极电荷 Qg 减少驱动损耗，进一步优化整体效率。
这些特性使得 MA0402CG820K500 成为高性能功率转换解决方案的理想选择。
该器件广泛应用于多个行业领域：
1. 开关电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 无线充电发射端及接收端模块。
3. LED 驱动器，特别是在需要高效率和快速动态响应的应用中。
4. 消费类电子产品的适配器和充电器。
5. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
6. 高频 D 类音频放大器。
凭借其高效的开关特性和稳健的工作能力，MA0402CG820K500 在众多功率管理场景下表现出色。
MP4802G820K400
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