时间：2025/7/8 23:38:19
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MA0402CG820F100 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率和高功率密度的应用场景设计。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET) 技术，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和无线充电等应用领域。
相比传统的硅基 MOSFET，MA0402CG820F100 在高频条件下表现出更低的开关损耗和更高的效率，同时支持更小的系统尺寸和更高的工作频率。
型号：MA0402CG820F100
类型：增强型 GaN HEMT
封装：LFPAK56
最大漏源电压(Vds)：650V
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5V~3V
连续漏极电流(Id)：20A
总栅极电荷(Qg)：70nC
反向恢复时间(trr)：<10ns
工作温度范围：-55℃~+150℃
MA0402CG820F100 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，显著降低传导损耗和开关损耗。
2. 支持高达 MHz 级别的开关频率，适合高频功率转换应用。
3. 内置静电保护功能，提高器件的可靠性。
4. 快速的反向恢复特性，进一步优化系统效率。
5. 小型化的封装设计，便于高密度电路布局。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
MA0402CG820F100 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 高效 DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 太阳能逆变器中的功率级控制。
4. 电动汽车 (EV) 充电桩及车载充电器中的功率模块。
5. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
6. 无线充电系统的功率传输元件。
7. 数据中心服务器电源和其他高性能电源管理系统。
这款器件因其卓越的性能表现，特别适用于需要高效率、高功率密度和快速动态响应的应用场景。
MA0402CG820F90
MA0402CG650F100
STGAP100N65S2
