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STD3NK90ZT4 发布时间 时间:2025/6/6 16:33:45 查看 阅读:20

STD3NK90ZT4是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件专为高频开关应用而设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等场景。

参数

最大漏源电压:90V
  连续漏极电流:3A
  导通电阻:50mΩ
  栅极电荷:18nC
  开关频率:高达500kHz
  结温范围:-55℃至175℃

特性

STD3NK90ZT4具备出色的电气性能和可靠性。
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提升效率。
  2. 高开关速度,支持高频操作,减少磁性元件体积。
  3. 具备良好的热稳定性,在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
  4. 内置ESD保护功能,增强器件在实际应用中的抗干扰能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于现代工业需求。

应用

STD3NK90ZT4适用于多种电子电路领域,包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  4. 小型电机驱动电路。
  5. 便携式设备中的高效电源管理模块。
  6. 逆变器和太阳能微逆变器中的功率转换组件。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, STP36NF06

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STD3NK90ZT4参数

  • 其它有关文件STD3NK90Z View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds590pF @ 25V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-12785-6