MA0402CG431F500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,属于东芝半导体的U-MOS VIII系列。该芯片专为高频、高效率电源转换应用场景设计,采用TO-263-7封装形式,具备低导通电阻和快速开关性能。其主要应用于开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器等需要高效能功率控制的场景。
这款芯片采用了先进的沟槽MOSFET结构,能够显著降低导通损耗并提高整体系统的功率密度。同时,其内置的ESD保护电路增强了芯片在实际应用中的可靠性。
型号:MA0402CG431F500
类型:增强型N沟道MOSFET
工作电压:400V
导通电阻:43mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
漏极电流:-28A(最大值)
栅极电荷:9nC(典型值)
功耗:15W(最大值)
封装形式:TO-263-7
工作温度范围:-55℃至+150℃
MA0402CG431F500 的核心优势在于其卓越的开关性能和低导通损耗。具体来说:
1. 超低导通电阻:43mΩ的典型值使得该芯片在高负载条件下表现出色,能够有效减少传导损耗。
2. 高速开关能力:由于其优化的栅极电荷和输出电容参数,该芯片支持高达1MHz的工作频率,非常适合高频应用。
3. 强大的热性能:通过采用先进的封装材料和结构,确保了芯片即使在高负载和高温环境下也能保持稳定运行。
4. 内置ESD保护:增强了芯片的抗静电能力,从而提升了产品的可靠性和耐用性。
5. 广泛的工作温度范围:-55℃至+150℃的宽温范围使其适用于工业级和汽车级应用环境。
MA0402CG431F500 适用于多种高性能电力电子设备中,包括但不限于以下领域(SMPS):高效的开关性能使其成为各种开关电源的理想选择。
2. DC-DC转换器:无论是用于消费类电子产品还是工业设备,这款芯片都能提供高效率的电压转换。
3. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)和其他电机驱动系统中,它能够实现精确的电流控制和高效的能量传输。
4. 光伏逆变器:得益于其高耐压和低损耗特性,该芯片在光伏能源系统中也具有广泛应用。
5. 汽车电子:可用于电动汽车的车载充电器、DC-DC转换模块以及其他关键电力管理组件。
MA0402CH431F500
IRFP460
FDP17N40