MA0402CG3R9C250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率的应用场景设计。该型号属于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)系列,广泛应用于射频功率放大器、无线通信基站以及工业科学医疗(ISM)领域。其结构设计优化了热性能和电气性能,能够满足现代通信系统对高线性度和高效率的要求。
此器件采用先进的封装技术以提高散热性能,并支持高频率操作,确保在复杂的电磁环境中保持稳定的输出功率。此外,该型号还具有良好的增益特性和低失真特性,使其成为高性能射频应用的理想选择。
型号:MA0402CG3R9C250
类型:LDMOS功率晶体管
材料:氮化镓(GaN)
工作频率范围:1 MHz 至 4 GHz
输出功率:50 W(典型值)
增益:12 dB(典型值)
Vds(漏源电压):30 V
Rds(on)(导通电阻):0.2 Ω
封装形式:陶瓷气密封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
MA0402CG3R9C250 的主要特性包括:
1. 高效的功率转换能力,能够在高频条件下提供稳定的输出功率。
2. 支持宽范围的工作频率,适合多种射频应用场景。
3. 内部集成保护电路,有效防止过流、过压及高温损坏。
4. 先进的氮化镓材料提升了器件的耐热性和可靠性。
5. 封装设计优化了散热路径,延长了器件的使用寿命。
6. 低噪声和低失真特性保证了信号的高质量传输。
7. 紧凑型设计减少了PCB空间占用,便于系统集成。
MA0402CG3R9C250 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的射频功率放大器。
2. 工业、科学和医疗设备中的高功率射频发生器。
3. 雷达系统中的脉冲功率放大器。
4. 卫星通信系统的上变频和下变频模块。
5. 医疗成像设备中的超声波发射器。
6. 高效能电子战系统中的干扰信号生成模块。
7. 新一代5G通信网络基础设施中的关键功率组件。
MA0402CG3R9C200, MA0402CG3R9C300, MA0402CG3R9C150