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MA0402CG3R9C250 发布时间 时间:2025/7/14 8:30:17 查看 阅读:25

MA0402CG3R9C250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率的应用场景设计。该型号属于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)系列,广泛应用于射频功率放大器、无线通信基站以及工业科学医疗(ISM)领域。其结构设计优化了热性能和电气性能,能够满足现代通信系统对高线性度和高效率的要求。
  此器件采用先进的封装技术以提高散热性能,并支持高频率操作,确保在复杂的电磁环境中保持稳定的输出功率。此外,该型号还具有良好的增益特性和低失真特性,使其成为高性能射频应用的理想选择。

参数

型号:MA0402CG3R9C250
  类型:LDMOS功率晶体管
  材料:氮化镓(GaN)
  工作频率范围:1 MHz 至 4 GHz
  输出功率:50 W(典型值)
  增益:12 dB(典型值)
  Vds(漏源电压):30 V
  Rds(on)(导通电阻):0.2 Ω
  封装形式:陶瓷气密封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C

特性

MA0402CG3R9C250 的主要特性包括:
  1. 高效的功率转换能力,能够在高频条件下提供稳定的输出功率。
  2. 支持宽范围的工作频率,适合多种射频应用场景。
  3. 内部集成保护电路,有效防止过流、过压及高温损坏。
  4. 先进的氮化镓材料提升了器件的耐热性和可靠性。
  5. 封装设计优化了散热路径,延长了器件的使用寿命。
  6. 低噪声和低失真特性保证了信号的高质量传输。
  7. 紧凑型设计减少了PCB空间占用,便于系统集成。

应用

MA0402CG3R9C250 广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基站中的射频功率放大器。
  2. 工业、科学和医疗设备中的高功率射频发生器。
  3. 雷达系统中的脉冲功率放大器。
  4. 卫星通信系统的上变频和下变频模块。
  5. 医疗成像设备中的超声波发射器。
  6. 高效能电子战系统中的干扰信号生成模块。
  7. 新一代5G通信网络基础设施中的关键功率组件。

替代型号

MA0402CG3R9C200, MA0402CG3R9C300, MA0402CG3R9C150