MA0402CG3R3D160 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及其他高效率电力电子应用。该芯片采用了先进的封装技术以优化热性能和电气特性,同时具备低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度的特点。
此型号专为中高功率密度设计而优化,其出色的能效表现和紧凑的尺寸使其成为现代电力系统设计的理想选择。
型号:MA0402CG3R3D160
类型:功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
额定电压:650V
额定电流:3.3A
导通电阻:33mΩ
最大工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DFN8
开关频率:高达 10MHz
栅极电荷:15nC
MA0402CG3R3D160 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (33mΩ),可有效降低功率损耗。
2. 快速开关速度,支持高达 10MHz 的工作频率,从而实现更小的磁性元件和更高的功率密度。
3. 内置保护功能,包括过温保护和短路保护,确保系统的稳定性和可靠性。
4. 小型 DFN8 封装,节省电路板空间并优化散热性能。
5. 高效率,在高频条件下表现出色,适合需要高性能功率转换的应用场景。
6. 稳定的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C),适应多种环境条件下的使用需求。
MA0402CG3R3D160 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),如笔记本电脑适配器和手机快充。
2. DC-DC 转换器,用于服务器、通信设备和工业电源。
3. 无线充电模块,提供高效的功率传输。
4. LED 驱动器,支持高亮度 LED 照明。
5. 电机驱动器,例如无人机和其他小型电机控制设备。
6. 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换模块。
7. 其他对高频和高效功率转换有要求的场合。
MA0402CG3R3D120, MA0402CG3R3D180