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GA0603Y332JBXAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 2:31:48 查看 阅读:4

GA0603Y332JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  其封装形式紧凑,能够有效降低寄生电感对系统性能的影响,同时提供优异的热性能表现,适用于要求严格的工作环境。

参数

型号:GA0603Y332JBXAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):33A
  导通电阻(Rds(on)):2mΩ
  总栅极电荷(Qg):45nC
  开关频率:最高支持500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA0603Y332JBXAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))仅为2mΩ,可显著减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,适用于高频开关应用,能够降低开关损耗。
  3. 高额定电流能力,连续漏极电流高达33A,确保在大负载条件下稳定运行。
  4. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种严苛的工作环境。
  5. 良好的热性能,通过优化的封装设计提高了散热效率。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 太阳能逆变器和储能系统的功率级。
  5. 电动汽车充电设备中的高频DC-DC转换器。
  6. 各种需要高效功率管理的电子设备。

替代型号

GA0603Y332KDXAT31G, IRF3710, FDP059N06L

GA0603Y332JBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-