时间：2025/7/11 13:29:44
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MA0402CG2R2B100 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能功率晶体管，适用于高频和高效率电源转换应用。该器件采用了先进的封装技术，确保了较低的寄生电感和良好的散热性能。其设计旨在满足现代电力电子系统对高性能、小型化和高可靠性的需求。
该型号属于 MOSFET 类型的功率半导体器件，具有快速开关速度和低导通电阻的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、无线充电设备以及其他需要高效能量转换的应用场景。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：2A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：35nC
反向传输电容：95pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
MA0402CG2R2B100 具备以下显著特性：
1. 高效的氮化镓材料提供卓越的开关性能和低导通损耗。
2. 快速开关能力使其能够支持高频操作，从而减小磁性元件体积并提高功率密度。
3. 极低的导通电阻降低了传导损耗，有助于实现更高的系统效率。
4. 内置保护功能（如过流保护和短路保护），增强了器件的可靠性。
5. 小型化的封装形式减少了 PCB 占用面积，同时改善了热管理性能。
该器件主要应用于以下领域：
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 开关模式电源 (SMPS) 和适配器。
3. 消费类电子产品中的无线充电模块。
4. 工业级电机驱动和逆变器。
5. 可再生能源系统的功率优化器和微型逆变器。
6. 数据中心服务器和通信设备的高效供电解决方案。
MA0402CG2R2B150
MA0402DG2R2B100
GA0402CG2R2B100
