时间：2025/7/1 0:58:15
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MA0402CG201K500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，使其成为电源转换、射频放大器以及高速数据传输的理想选择。
该型号属于高效能 GaN 器件系列，封装设计紧凑，能够有效降低寄生参数影响，并提供卓越的热性能。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：7nC
输入电容：1500pF
输出电容：600pF
反向恢复时间：无反向恢复特性
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0402CG201K500 提供了低导通电阻和快速开关能力，可显著提高系统效率并减少能量损耗。
该器件采用增强型结构，确保在栅极驱动为正电压时开启，负电压时关闭，提高了使用的安全性与可靠性。
GaN 技术的应用使得器件具备更高的工作频率和更低的开关损耗，同时其热阻较低，能够适应高温环境下的长时间运行。
此外，MA0402CG201K500 的封装设计优化了 PCB 布局兼容性，便于集成到各种功率转换模块中。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 开关电源、无线充电设备、电动汽车充电系统以及工业电机驱动等领域。
由于其高频特性，也适合用于射频功率放大器和雷达系统中的信号处理。
同时，其高效率和低损耗特点使其成为数据中心服务器电源和太阳能逆变器等能源管理系统的理想选择。
MA0402CG201K300
MA0402CG201K600
MGH4010E200
