类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值）
　　最大功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）
　　极数：3引脚

SKT510F14DV MOSFET具备多项先进的技术特性，首先其采用的U-MOS VIII技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件的热阻较低，允许在高电流条件下保持稳定工作，同时减少热损耗。
　　该MOSFET的封装形式为TO-263，属于表面贴装型封装，适用于自动化生产流程，提高生产效率并减少PCB空间占用。这种封装还具备良好的散热性能，有助于维持器件在高功率应用中的稳定性。
　　SKT510F14DV的快速开关特性使其适用于高频开关电源系统，减少开关损耗，并提升整体系统效率。其高耐压能力（100V Vds）允许在中高电压应用中使用，如DC-DC转换器和电机控制电路。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至20V之间的驱动电压，从而增强了其与不同控制IC的兼容性。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高开关速度。
　　此外，SKT510F14DV具备较强的过载和短路保护能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性和耐用性，适合工业和汽车电子等高要求环境。

SKT510F14DV MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中。首先，在电源管理系统中，它常用于同步整流DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统（BMS），以实现高效的能量转换和管理。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频开关电源中表现出色，能够显著降低损耗并提高效率。
　　在电机控制领域，SKT510F14DV可用于H桥驱动电路、直流电机和步进电机控制器，提供高电流能力和稳定的开关性能，确保电机运行平稳且响应迅速。
　　此外，该器件在汽车电子系统中也具有广泛应用，例如车载充电器、DC-DC转换器、车身控制系统和电动助力转向系统（EPS）。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
　　在工业自动化和控制系统中，SKT510F14DV可用于PLC电源模块、伺服驱动器和工业机器人电源管理模块，提供高效、稳定的功率控制能力，满足高性能工业设备的需求。
　　该MOSFET还可用于太阳能逆变器、储能系统和UPS（不间断电源）等新能源应用，支持高效能量转换和稳定系统运行。

TKA100E10CP,TMPM46BFD15FG,TPH1R406NH