时间：2025/6/27 4:55:28
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MA0402CG1R6B500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛适用于电源转换、射频放大器和其他高性能应用场景。
该芯片在设计时充分考虑了现代电子设备对效率和小型化的需求，因此它能够显著提高系统性能，同时降低能耗。
型号：MA0402CG1R6B500
类型：GaN HEMT
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：50A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：130nC
反向恢复时间：<10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0402CG1R6B500 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高整体效率。
2. 高开关频率支持，适合高频应用环境，如无线充电或通信设备中的功率放大。
3. 热稳定性优异，在高温条件下依然保持出色的性能表现。
4. 小型化设计，便于集成到紧凑型电路中，节省空间。
5. 提供强大的短路保护功能，增强器件的可靠性和使用寿命。
这款 GaN HEMT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器，用于服务器、工业设备和电动汽车等场景。
2. 射频功率放大器，服务于通信基站和雷达系统。
3. 快速充电器，因其高效率和小尺寸特别适合消费类电子产品。
4. 可再生能源相关设备，例如太阳能逆变器和风力发电控制器。
5. 激光雷达（LiDAR）和其他需要高速切换的应用场景。
MA0402CG1R6B400, MA0402CG1R6B600
