时间：2025/6/19 16:37:59
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2N7002AK是一种N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于模拟和数字电路中。它具有低栅极电荷、快速开关特性和高电流驱动能力，适用于高频放大器、开关电源、逻辑缓冲器等应用。该器件的封装形式通常为TO-92或SOT-23，具有紧凑的体积和良好的散热性能。
2N7002AK作为经典的中小功率MOSFET之一，因其高性价比和稳定性，在工业控制、消费电子和通信设备中得到了广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
最大功耗：410mW
导通电阻：2.8Ω
栅极电荷：1.5nC
工作温度范围：-55℃ to +150℃
2N7002AK具备以下显著特点：
1. 高输入阻抗：由于其MOSFET结构，栅极几乎不消耗电流，非常适合驱动弱信号源。
2. 快速开关特性：低栅极电荷和短开启/关闭时间使其适合高频应用。
3. 稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
4. 小型化设计：采用标准的小型封装，便于PCB布局和集成。
5. 可靠性高：经过严格的质量测试，满足多种工业标准。
该MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
2. 信号切换和逻辑电平转换。
3. 模拟和数字电路中的小型负载驱动。
4. 脉宽调制（PWM）控制器中的输出级开关。
5. 电池保护电路和负载开关。
6. 继电器驱动和小型电机控制。
2N7002, BSS138, BS170, FDC6561A
