时间：2025/4/28 18:48:47
阅读：2
DMN3112SQ 是一款 N 沣道晶体管（N-MOSFET），由 Diodes 公司生产。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种功率转换和负载切换应用。其小型化封装（SOT-23）使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：1.8nC（典型值）
总电容：48pF（典型值）
功耗：0.3W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN3112SQ 具有低导通电阻特性，能够有效降低传导损耗，从而提高系统效率。
它还具备快速开关性能，有助于减少开关损耗并改善高频应用中的表现。
此外，该器件采用 SOT-23 封装，体积小且易于安装，适合便携式设备和高密度电路板设计。
其高雪崩耐量和坚固的结构确保了在恶劣环境下的可靠运行。
DMN3112SQ 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。常见的应用领域包括电源管理（如 DC-DC 转换器）、电池保护、电机驱动、负载开关和信号切换等。
在便携式电子产品中，该器件常用于 USB 充电器、蓝牙耳机和其他小型设备的功率路径管理。
同时，它也适用于汽车电子系统的非关键部分，例如信息娱乐系统或车窗升降控制模块。
DMN3027USQ, BSS138, AO3400
