时间：2025/7/4 23:35:04
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MA0402CG1R5A500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频和高效率的电源转换应用场景。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）设计，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，适合在开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用中使用。
该型号是 Cree 公司（现为 Wolfspeed）推出的一款高性能 GaN 器件，主要面向工业和消费电子市场。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：20nC
反向恢复时间：无
结温范围：-55℃ 至 175℃
MA0402CG1R5A500 拥有卓越的电气性能，其低导通电阻可显著降低传导损耗，而超快的开关速度则能够减少开关损耗，从而提升整体系统效率。
此外，该器件的紧凑封装形式有助于简化电路板布局并节省空间。由于采用了先进的氮化镓技术，这款晶体管能够在更高的频率下运行，同时保持高效率和可靠性。
GaN 技术本身具备出色的热稳定性和耐高压能力，这使得 MA0402CG1R5A500 能够在极端条件下依然表现良好。对于需要高频开关和高功率密度的应用场景来说，这是一个非常理想的选择。
MA0402CG1R5A500 广泛应用于各类高频高效的电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 无线充电模块
- 电机驱动控制器
- 工业逆变器
- 太阳能微型逆变器
其高性能特点使其特别适合于要求高功率密度和高效率的场合。
MA0402CG1R8A500
MA0402CG2R0A500
