时间：2025/7/11 13:31:42
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MA0402CG181J250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，适用于高频、高功率密度的应用场景。该芯片具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提高电源转换效率并减小系统体积。
其设计主要用于工业级和消费级电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。通过优化的封装技术和先进的半导体工艺，MA0402CG181J250 提供了出色的散热性能和可靠性。
型号：MA0402CG181J250
类型：GaN 功率开关
额定电压：650V
额定电流：25A
导通电阻：18mΩ
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极驱动电压：6V/10V
反向恢复时间：无反向恢复特性
漏源电容：90pF
MA0402CG181J250 的主要特性如下：
1. 采用氮化镓技术，具备卓越的高频性能和效率表现。
2. 极低的导通电阻（18mΩ），降低传导损耗。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 高击穿电压（650V），适用于多种高压应用场景。
5. 支持高达 25A 的连续电流，满足高功率需求。
6. 无反向恢复特性，简化电路设计。
7. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应恶劣环境。
8. TO-247-3 封装提供良好的热管理和机械稳定性。
MA0402CG181J250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于提高效率和功率密度。
2. DC-DC 转换器：支持更高频率的磁性元件设计，减小系统尺寸。
3. 电机驱动：实现高效逆变和精确控制。
4. 充电器：为手机、笔记本电脑和其他电子设备提供快速充电功能。
5. 工业电源：适用于需要高可靠性和高性能的工业设备供电。
6. 太阳能逆变器：优化光伏系统的能量转换效率。
MA0402CG181J200
MA0402CG181J300
GXTN65R180HE
INF650P180D
