D3NK60Z 时间：2025/4/29 10:20:11 阅读：19

D3NK60Z 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关和低导通损耗的电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提升系统的效率和性能。
　　该 MOSFET 的最大特点是其高耐压能力，额定电压为 600V，适用于高压环境下的各种应用场景。同时，它还具有良好的热稳定性和可靠性，确保在恶劣的工作条件下依然能保持稳定的性能。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.7A
　　导通电阻：1.1Ω
　　总功耗：28W
　　工作结温范围：-55℃ 至 150℃

特性

D3NK60Z 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：额定电压高达 600V，适用于高压应用环境。
　　2. 低导通电阻：典型值为 1.1Ω，在同级别产品中表现出色，有助于降低导通损耗。
　　3. 快速开关速度：由于其优化的结构设计，开关速度快，减少了开关损耗。
　　4. 热稳定性强：能够在高温环境下长时间稳定工作，最高结温可达 150℃。
　　5. 可靠性高：通过了多种严格的质量测试，具备较高的抗浪涌能力和长期工作的可靠性。
　　6. 小尺寸封装：采用 TO-220 封装，便于安装且散热性能良好。

应用

D3NK60Z 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高频开关场景，提供高效的功率转换。
　　2. 电机驱动：适用于各类直流电机驱动电路，提供精确的电流控制。
　　3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他电力转换设备中，作为关键的开关元件。
　　4. 负载切换：用于保护电路或负载切换功能，快速响应过流或短路情况。
　　5. 工业自动化：在工业控制系统中用作功率开关，实现精确的功率管理。