时间：2025/12/23 19:07:07
阅读：18
MA0402CG180F500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和射频功率放大器等应用。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）设计，具有高开关速度和低导通电阻的特点，能够在高频工作条件下实现高效率的能量转换。
其封装形式为符合行业标准的表面贴装器件（SMD），能够有效减少寄生电感并提高散热性能。
型号：MA0402CG180F500
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
Vds（漏源电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：40mΩ
Id（连续漏极电流）：30A
Qg（栅极电荷）：70nC
Ciss（输入电容）：1200pF
fsw（最大开关频率）：5MHz
结温范围：-55℃ to +175℃
封装：DFN8
MA0402CG180F500 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（40mΩ），有助于降低传导损耗。
3. 快速开关速度和低栅极电荷（70nC），适合高频开关应用。
4. 增强型结构确保在正栅极电压下开启，简化了驱动电路设计。
5. 封装设计优化以减少寄生电感，并提高了整体热性能。
6. 具有优异的热稳定性和可靠性，支持长时间高温运行。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 高效DC-DC转换器和逆变器。
2. 车载充电器和电动车牵引逆变器。
3. 高频谐振转换器，如LLC和CLLC拓扑。
4. 工业级电机驱动和不间断电源（UPS）。
5. 射频功率放大器和无线能量传输系统。
6. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源转换设备。
由于其高频性能和高效率，特别适合于需要紧凑尺寸和高性能的电力电子应用。
MA0402CG150F400, MA0402DG180F650
