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GA1206A822JBABR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:29:37 查看 阅读:9

GA1206A822JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的沟槽式结构设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率电源转换应用。其封装形式为 TO-247-3,具备良好的散热性能,适合用于工业、汽车以及消费电子领域的各种功率管理场景。
  该芯片的主要特点包括优异的开关速度、低栅极电荷和出色的热稳定性,能够在高频工作条件下保持高效能表现。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:0.025Ω
  栅极电荷:95nC
  总电容:2200pF
  功耗:350W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206A822JBABR31G 的主要特性如下:
  1. 高击穿电压:650V 的漏源电压使其能够承受较高的电压环境,适合高压应用场景。
  2. 极低导通电阻:仅为 0.025Ω,在大电流应用中显著降低传导损耗。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷(95nC)确保了快速开关切换,从而减少开关损耗。
  4. 宽温范围支持:工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃,适应恶劣环境下的使用需求。
  5. 稳定性高:在高频条件下依然保持稳定的性能输出。
  6. 散热良好:采用 TO-247-3 封装,具备优秀的散热能力。

应用

GA1206A822JBABR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器,提供高效的功率转换。
  2. 工业电机驱动:适用于各类电机控制场景,如变频器和伺服驱动器。
  3. 太阳能逆变器:作为关键功率器件,提升能量转换效率。
  4. 电动汽车系统:用于车载充电器、DC/DC 转换器等。
  5. UPS 不间断电源:保障系统稳定运行时的功率支持。
  6. LED 驱动电源:满足高亮度 LED 照明系统的功率要求。

替代型号

IRFP260N, FQP22N65C, STW88N65M5

GA1206A822JBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-