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2N1000 发布时间 时间:2025/9/3 6:23:44 查看 阅读:4

2N1000是一款常见的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中。这款晶体管以其高效能、高可靠性和耐用性而闻名,适用于需要高电流和高电压处理能力的电路设计。2N1000通常用于开关电路、放大电路和功率调节电路中,是电子工程领域的重要元件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):3.5A
  最大漏-源极电压(VDS):100V
  最大栅-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约0.4Ω
  最大功耗(PD):40W
  封装形式:TO-220

特性

2N1000是一款经典的N沟道MOSFET,具备良好的电气性能和稳定性。它的最大漏极电流为3.5A,能够承受高达100V的漏-源极电压,这使得它适用于多种中等功率的电子电路设计。该器件的导通电阻较低,约为0.4Ω,有助于降低功耗并提高效率。此外,2N1000的栅-源极电压范围为±20V,提供了较大的控制灵活性。其TO-220封装形式不仅便于安装,还能有效散热,确保长时间工作的稳定性。
  在实际应用中,2N1000的耐用性和可靠性使其成为许多电子工程师的首选。它的工作温度范围较宽,能够在恶劣的环境条件下正常运行。此外,2N1000的制造工艺成熟,质量稳定,适合批量生产和长期使用。对于需要高可靠性和高效率的电路设计来说,2N1000是一个理想的选择。

应用

2N1000通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制电路、照明设备和功率放大器等应用中。它也常用于各种工业控制设备、汽车电子系统和家用电器中,以提供稳定的功率控制和高效的能量转换。由于其良好的电气特性和可靠性,2N1000在电子工程领域中具有广泛的应用前景。

替代型号

2N1001, IRF510, 2N6756

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