2N1000 时间：2025/9/3 6:23:44 阅读：17

2N1000是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种电子设备中。这款晶体管以其高效能、高可靠性和耐用性而闻名，适用于需要高电流和高电压处理能力的电路设计。2N1000通常用于开关电路、放大电路和功率调节电路中，是电子工程领域的重要元件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3.5A
　　最大漏-源极电压（VDS）：100V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω
　　最大功耗（PD）：40W
　　封装形式：TO-220

特性

2N1000是一款经典的N沟道MOSFET，具备良好的电气性能和稳定性。它的最大漏极电流为3.5A，能够承受高达100V的漏-源极电压，这使得它适用于多种中等功率的电子电路设计。该器件的导通电阻较低，约为0.4Ω，有助于降低功耗并提高效率。此外，2N1000的栅-源极电压范围为±20V，提供了较大的控制灵活性。其TO-220封装形式不仅便于安装，还能有效散热，确保长时间工作的稳定性。
　　在实际应用中，2N1000的耐用性和可靠性使其成为许多电子工程师的首选。它的工作温度范围较宽，能够在恶劣的环境条件下正常运行。此外，2N1000的制造工艺成熟，质量稳定，适合批量生产和长期使用。对于需要高可靠性和高效率的电路设计来说，2N1000是一个理想的选择。