时间：2025/6/27 4:53:17
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MA0402CG161G500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体以实际产品为准。MA0402CG161G500 的设计旨在满足工业、汽车及消费电子领域对高效能功率管理的需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：开启延迟时间：18ns，上升时间：9ns，关闭延迟时间：45ns，下降时间：12ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220 或 DPAK
MA0402CG161G500 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 4.5mΩ，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性，在极端温度范围内表现可靠。
4. 内置 ESD 保护电路，增强了芯片的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代绿色电子产品设计需求。
6. 支持高电流操作，峰值脉冲电流可达 50A（短时），适应动态负载变化。
该芯片广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关元件。
2. DC-DC 转换器中作为功率级开关或控制器输出端的关键组件。
3. 电机驱动电路中的功率转换与控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的逆变器、充电器等电力电子装置。
6. 消费类电子产品的适配器和充电解决方案。
MA0402CG161G400, MA0402DG161G500
