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MA0402CG121G250 发布时间 时间:2025/6/30 12:18:56 查看 阅读:6

MA0402CG121G250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,适用于电源转换、无线充电以及射频放大等场景。
  由于其优异的性能表现,MA0402CG121G250 在工业、通信和消费电子领域中得到了广泛应用。

参数

类型:增强型场效应晶体管 (e-mode GaN FET)
  最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:12mΩ
  栅极电荷:75nC
  反向恢复时间:10ns
  封装形式:TO-247-4L

特性

MA0402CG121G250 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压,支持高达 650V 的工作环境,确保在高压条件下的稳定性。
  2. 极低的导通电阻(12mΩ),能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关性能,具有极短的反向恢复时间和低栅极电荷,适合高频应用。
  4. 热性能优异,可有效管理散热问题以延长使用寿命。
  5. 良好的 EMC 性能,减少电磁干扰对周围电路的影响。
  6. 封装坚固耐用,支持大电流传输且便于安装于 PCB 或其他载体上。

应用

MA0402CG121G250 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 充电器解决方案,例如用于笔记本电脑、智能手机和平板设备的快速充电器。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. 电动工具和家用电器. 数据中心和服务器电源单元。
  6. 射频功率放大器及无线能量传输设备。

替代型号

MA0402CG120G250
  MA0402DG121G250
  IRF640N
  SUP75P03-12E