时间：2025/6/30 12:18:56
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MA0402CG121G250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力，适用于电源转换、无线充电以及射频放大等场景。
由于其优异的性能表现，MA0402CG121G250 在工业、通信和消费电子领域中得到了广泛应用。
类型：增强型场效应晶体管 (e-mode GaN FET)
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：75nC
反向恢复时间：10ns
封装形式：TO-247-4L
MA0402CG121G250 的主要特性包括：
1. 高击穿电压，支持高达 650V 的工作环境，确保在高压条件下的稳定性。
2. 极低的导通电阻（12mΩ），能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，具有极短的反向恢复时间和低栅极电荷，适合高频应用。
4. 热性能优异，可有效管理散热问题以延长使用寿命。
5. 良好的 EMC 性能，减少电磁干扰对周围电路的影响。
6. 封装坚固耐用，支持大电流传输且便于安装于 PCB 或其他载体上。
MA0402CG121G250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 充电器解决方案，例如用于笔记本电脑、智能手机和平板设备的快速充电器。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 电动工具和家用电器. 数据中心和服务器电源单元。
6. 射频功率放大器及无线能量传输设备。
MA0402CG120G250
MA0402DG121G250
IRF640N
SUP75P03-12E
