MA0402CG121F160 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高频率微波单片集成电路(MMIC),专为低噪声放大器(LNA)应用而设计。该芯片能够提供出色的增益性能和较低的噪声系数,非常适合用于射频通信系统、卫星接收设备以及雷达系统等高频场景。
其封装形式紧凑,便于集成到更复杂的射频模块中,并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
型号:MA0402CG121F160
工作频率范围:2 - 18 GHz
增益:16 dB 典型值
噪声系数:1.2 dB 典型值
输入回波损耗:-15 dB 典型值
输出回波损耗:-12 dB 典型值
电源电压:3 V 至 5 V
工作电流:50 mA 典型值
最大输出功率(P1dB):+10 dBm 典型值
封装类型:陶瓷扁平封装
尺寸:4 mm x 4 mm
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MA0402CG121F160 提供了卓越的射频性能,特别是在低噪声和高增益方面表现出色。它具有以下主要特点:
1. 高增益:在宽频带内可实现高达 16 dB 的增益,确保信号强度的有效提升。
2. 低噪声系数:典型值仅为 1.2 dB,使其成为对信噪比要求较高的系统的理想选择。
3. 宽带操作:支持从 2 GHz 到 18 GHz 的超宽带宽,适用于多种射频应用。
4. 稳定性:无论是在不同环境温度还是输入信号条件下,均能保持优异的性能稳定性。
5. 易于使用:只需少量外部元件即可完成完整电路设计,简化了开发流程。
6. 小型化封装:采用紧凑型封装形式,适合空间受限的应用场景。
MA0402CG121F160 主要应用于需要高性能射频放大的领域,具体包括:
1. 卫星通信系统中的低噪声前置放大器。
2. 雷达接收机前端,以增强目标探测能力。
3. 无线通信基站和远程无线电单元中的射频信号增强。
4. 测试与测量仪器,如频谱分析仪和网络分析仪。
5. 微波链路及点对点通信设备中的信号处理组件。
6. 医疗成像设备及其他精密电子系统的射频前端模块。
MA0402CG121F120, MA0402CG121F180