MA0402CG120G100 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺的高性能单片微波集成电路(MMIC),专为低噪声放大器(LNA)应用设计。它适用于无线通信、雷达系统以及射频测试设备等领域,能够在高频段提供卓越的增益和低噪声性能。该芯片集成了偏置电路,简化了外部设计需求,并且具有高可靠性与稳定性。
这款器件通常用于需要在高频范围内实现低噪声放大的场景,例如 Ku 波段卫星通信、点对点无线电链路以及其他高性能射频系统。
型号:MA0402CG120G100
工作频率范围:17 GHz 至 20 GHz
增益:19 dB(典型值)
噪声系数:1.5 dB(典型值)
输入回波损耗:-12 dB(最小值)
输出回波损耗:-10 dB(最小值)
最大输入功率:+15 dBm
电源电压:+4 V
工作电流:80 mA
封装形式:芯片级封装 (CSP)
尺寸:2 mm x 2 mm
MA0402CG120G100 的主要特性包括:
1. 高增益和低噪声系数,使其非常适合于接收机前端的低噪声放大。
2. 内置偏置电路,减少了对外部元件的需求,从而简化了设计并降低了成本。
3. 宽带操作能力,在 17 GHz 至 20 GHz 范围内表现出色。
4. 小型化的封装设计,便于集成到紧凑型系统中。
5. 高可靠性和稳定性,适合在恶劣环境条件下长期运行。
6. 支持表面贴装技术(SMT),有助于自动化生产和提高产量。
这些特性使得 MA0402CG120G100 成为 Ku 波段应用的理想选择。
MA0402CG120G100 广泛应用于以下领域:
1. 卫星通信系统的地面站接收机前端。
2. 点对点无线电链路中的低噪声放大。
3. 军用及民用雷达系统中的信号增强。
4. 测试测量设备,例如频谱分析仪和网络分析仪。
5. 5G 和其他新兴无线通信基础设施。
6. 科学研究领域的高频信号采集与处理。
其卓越的性能和可靠性确保了在多种复杂应用场景下的稳定表现。
MA0402CG110G100, MA0402CG130G100