MA0402CG100K250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,属于 MOSFET 类型。该型号主要应用于高频、高效能电源转换领域,例如 DC-DC 转换器、逆变器和快速充电设备。它采用先进的封装工艺以提高散热性能并降低寄生电感影响。
这款 GaN 器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持高效率。
型号:MA0402CG100K250
类型:增强型 MOSFET
材料:氮化镓 (GaN)
额定电压:650V
额定电流:8A
导通电阻:100mΩ
栅极驱动电压:4V 至 8V
最大工作结温:175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
MA0402CG100K250 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 快速开关能力,支持高达数 MHz 的开关频率,适合高频应用。
3. 氮化镓材料带来的高击穿场强和高温稳定性,使其能够在极端条件下可靠运行。
4. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的鲁棒性。
5. 紧凑型封装设计,减少了寄生效应并提升了系统集成度。
这些特点使 MA0402CG100K250 成为下一代高效电源解决方案的理想选择。
MA0402CG100K250 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关模式电源 (SMPS)
3. USB-PD 快速充电器
4. 太阳能微型逆变器
5. LED 驱动器
6. 工业电机驱动和控制
由于其高频特性和高效率,该器件非常适合需要紧凑设计和高性能的场合。
MA0402CG120K250
MA0402CG80K250
GAN041-650WSA