FQB14N30是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等领域,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。这款MOSFET适合中等功率应用场合,能够提供高效的电力传输和控制。
FQB14N30的主要特点是其额定电压为30V,能够在较高的电流条件下运行,并且具备较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高效率。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):9.5mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):28W
结温范围(Tj):-55℃ to +150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
栅极电荷(Qg):26nC
FQB14N30采用了先进的制造工艺,确保了以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有效降低功率损耗。
2. 高开关速度,适用于高频开关应用。
3. 出色的热稳定性,能够在高温环境下长时间工作。
4. 具备强大的过流保护能力,提升了系统的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保设计。
6. 小型化封装,节省PCB空间。
FQB14N30的应用领域非常广泛,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流器或主开关。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 各种工业设备中的电机驱动电路。
5. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
6. 通信设备中的高效功率管理模块。
FQP14N30, IRFZ44N, AO3400