时间：2025/12/23 20:49:25
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MA0402CG100J250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 结构设计。该器件具有高开关频率、低导通电阻和高效率的特点，适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器、无线充电设备、激光雷达 (LiDAR) 系统以及各类工业电源应用。
其封装形式为芯片级封装 (CSP)，能够有效减少寄生电感并提升整体性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：28A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：7.5nC
反向恢复电荷：无（因无体二极管）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MA0402CG100J250 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术确保了更低的开关损耗和传导损耗。
2. 具备优异的热性能，能够在高温环境下长期稳定运行。
3. 极低的输入及输出电容，支持 MHz 级别的高频开关操作。
4. 内置静电保护电路，增强了器件的可靠性。
5. 封装尺寸紧凑，便于在空间受限的应用中使用。
6. 不含铅 (RoHS 合规)，满足环保要求。
这款 GaN 功率晶体管适合用于以下场景：
1. 高频 AC-DC 转换器，如 USB-PD 充电器和笔记本适配器。
2. 工业用 DC-DC 转换器，尤其是需要小型化设计的场合。
3. 无线充电发射端与接收端模块，提供更高的能效。
4. 激光雷达驱动电路，实现快速脉冲生成。
5. 太阳能微型逆变器以及其他高效能量转换系统。
EPC2020
PSMN0R9-100USB
GAN041-650WSA
