时间：2025/7/12 19:21:30
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MA0402CG0R5D500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用 DFN 封装形式，具有较低的导通电阻和极快的开关速度，广泛适用于电源转换、DC-DC 转换器、无线充电等应用领域。得益于 GaN 技术的优异特性，这款晶体管能够在高频工作条件下保持低损耗，从而提高整体系统效率。
此外，MA0402CG0R5D500 的紧凑封装形式使其非常适合对空间要求较高的设计环境，同时其卓越的热性能也保证了在高负载条件下的稳定运行。
型号：MA0402CG0R5D500
类型：GaN 功率晶体管
封装：DFN
导通电阻：0.5 Ω
漏源击穿电压：650 V
最大栅源电压：±20 V
连续漏极电流：10 A
峰值脉冲漏极电流：40 A
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷：30 nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 材料特性）
MA0402CG0R5D500 具有以下显著特点：
1. 采用先进的氮化镓（GaN）技术，提供卓越的高频性能和高效率。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗。
3. 高速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率。
4. 小型化 DFN 封装，节省 PCB 布局空间。
5. 出色的热管理能力，可确保在高温环境下长期可靠运行。
6. 内置 ESD 保护电路，增强器件的抗静电能力。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
8. 支持高密度功率集成，适合多种现代电力电子应用需求。
MA0402CG0R5D500 主要应用于以下领域：
1. 高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 消费类电子设备中的快速充电模块。
3. 无线充电发射端及接收端电路。
4. 工业级电机驱动控制器。
5. 太阳能逆变器中的功率转换单元。
6. LED 驱动器及照明控制系统。
7. 数据中心电源管理系统。
8. 汽车电子领域的车载充电器及辅助电源单元。
9. 通信基站中的高频功率放大器。
10. 任何需要高效率、高功率密度解决方案的场景。
MA0402CG0R6D500
MA0402CG0R7D500
MG0402CG0R5D500
