MA0201XF181K500 是一款高性能的 MOSFET 功率器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡,适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
型号:MA0201XF181K500
类型:N 沟道 MOSFET
漏源极击穿电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):35nC
总功耗(Ptot):170W
工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可以显著降低导通损耗。
2. 高开关速度,适用于高频应用环境。
3. 较小的栅极电荷(35nC),简化了驱动电路设计。
4. 耐热增强型 TO-247 封装,提供出色的散热性能。
5. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
7. 稳定的电气特性和可靠性,确保长期使用中的性能一致性。
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的主功率开关。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
5. 工业自动化设备中的负载控制。
6. 高效 DC-DC 转换器中的同步整流开关。
7. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L