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MA0201XF181K500 发布时间 时间:2025/3/25 10:11:21 查看 阅读:9

MA0201XF181K500 是一款高性能的 MOSFET 功率器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效能表现。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计优化了动态性能和静态性能之间的平衡,适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。

参数

型号:MA0201XF181K500
  类型:N 沟道 MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  总功耗(Ptot):170W
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可以显著降低导通损耗。
  2. 高开关速度,适用于高频应用环境。
  3. 较小的栅极电荷(35nC),简化了驱动电路设计。
  4. 耐热增强型 TO-247 封装,提供出色的散热性能。
  5. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
  7. 稳定的电气特性和可靠性,确保长期使用中的性能一致性。

应用

1. 开关电源(SMPS)设计中的功率级开关。
  2. 电机驱动电路中的主功率开关。
  3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 工业自动化设备中的负载控制。
  6. 高效 DC-DC 转换器中的同步整流开关。
  7. 其他需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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