时间：2025/6/30 17:23:07
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MA0201CG9R1C250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，适用于高频和高效率的电源转换应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。
其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和系统集成。这种晶体管特别适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、无线充电模块以及其他需要高效能量转换的应用场景。
型号：MA0201CG9R1C250
导通电阻：25 mΩ
额定电压：650 V
额定电流：4 A
栅极驱动电压：6 V / 10 V
最大工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
封装形式：DFN8
反向恢复时间：小于 30 ns
MA0201CG9R1C250 具备多种显著的优点，使其在功率电子领域中脱颖而出。首先，它的低导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提升了整体系统的效率。其次，由于其采用了氮化镓材料，开关速度远高于传统硅基 MOSFET，这有助于减小无源元件体积并降低电磁干扰。
此外，该器件的热性能优异，能够在高温环境下稳定运行，这对工业和汽车级应用至关重要。同时，它还支持零电压开关（ZVS）拓扑结构，进一步优化了能效表现。
为了简化设计流程，这款晶体管内置了过流保护和短路保护功能，从而增强了系统的可靠性和安全性。
MA0201CG9R1C250 广泛应用于各种对效率和尺寸有严格要求的领域。典型应用场景包括：
1. 高频 DC-DC 转换器，例如服务器电源、通信设备电源等；
2. 消费类快充适配器，如 USB-PD 充电器；
3. 无线充电发射端及接收端模块；
4. 太阳能微型逆变器和储能系统中的功率转换部分；
5. 汽车电子中的车载充电器（OBC）与 DC-DC 转换器。
MGH004R65EBA,
STGAP100,
EPC2016C
