时间：2025/7/9 12:15:11
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MA0201CG6R2C250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用而设计。该器件采用先进的封装技术，具有出色的热性能和电气性能。其主要应用于射频放大器、无线通信设备以及雷达系统等领域。
这款 GaN HEMT 提供了低导通电阻和高击穿电压的特性，能够在高频率和高功率条件下保持稳定的性能。同时，其卓越的开关速度使其成为现代通信系统中理想的功率放大解决方案。
型号：MA0201CG6R2C250
类型：GaN HEMT
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大栅源电压（Vgs）：±6 V
连续漏极电流（Id）：12 A
输出功率：30 W
增益：15 dB
工作频率范围：0.1 GHz 至 4 GHz
导通电阻（Rds(on)）：< 50 mΩ
封装形式：陶瓷金属盖封装
结温范围：-55°C 至 +175°C
MA0201CG6R2C250 的主要特性包括：
1. 高效率：得益于氮化镓材料的优异性能，该器件能够在高频下实现更高的功率转换效率。
2. 小型化设计：相比传统硅基器件，MA0201CG6R2C250 在相同功率等级下体积更小，适合紧凑型设计。
3. 快速开关能力：具备快速开关特性和低寄生电容，可显著减少开关损耗。
4. 热稳定性：采用高效散热封装，确保在高温环境下依然能保持稳定的工作状态。
5. 宽带操作：支持从 0.1 GHz 到 4 GHz 的宽频带工作范围，适用于多种无线通信场景。
MA0201CG6R2C250 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：用于基站、卫星通信和雷达系统中的信号增强。
2. 无线通信设备：如 LTE、5G 和 WiMAX 基础设施中的核心组件。
3. 工业与医疗设备：例如超声波成像系统和工业加热装置。
4. 军事与航空电子：应用于高性能雷达和导航系统。
5. 科学研究仪器：如高精度测试测量设备。
MG0201D6R2C250
MA0202CG6R2C250
MG0203D6R2C250
