时间：2025/6/30 17:22:20
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MA0201CG6R2B250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关芯片，适用于高频、高效率电源转换应用。该芯片结合了先进的封装技术和优化的电路设计，能够显著提升系统的功率密度和转换效率。其主要应用于适配器、充电器、DC-DC 转换器以及工业电源等领域。
该型号属于 Microchip 的 GaN FET 系列产品，采用了常关型（ normally-off ）结构，具备低导通电阻和快速开关性能，从而降低了传导和开关损耗。
额定电压：650V
导通电阻：25mΩ
最大电流：30A
栅极电荷：8nC
反向恢复时间：典型值 40ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：PDFN8 3x3mm
MA0201CG6R2B250 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（25mΩ），能够在高电流条件下减少功耗并提升效率。
2. 快速的开关速度，支持 MHz 级别的工作频率，可有效减小无源元件体积，提高功率密度。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件在实际应用中的鲁棒性。
4. 高度集成的设计减少了外围元件数量，简化了 PCB 布局。
5. 支持硬开关和软开关拓扑，适应多种电源架构需求。
这款芯片广泛用于对效率和尺寸要求较高的场景，包括但不限于：
1. USB-PD 充电器与快充适配器。
2. 小型化 DC-DC 转换器。
3. 开关电源（SMPS）及工业用逆变器。
4. 电机驱动器和其他高频功率变换设备。
由于其高频特性和低损耗表现，MA0201CG6R2B250 特别适合追求紧凑设计和高性能指标的产品。
MA0201CG6R2B200
MA0201CG6R2B300
GAN063-650WSB
