MA0201CG680J160 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能,适用于各类电源管理场景,如 DC-DC 转换器、开关电源和电机驱动等。其封装形式和电气特性使其成为高密度设计的理想选择。
器件类型:MOSFET
导通电阻(Rds(on)):6.8mΩ
击穿电压(V(BR)DSS):160V
最大漏极电流(Id):40A
栅极电荷(Qg):35nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
MA0201CG680J160 的主要特点是低导通电阻,这显著降低了传导损耗并提高了整体效率。此外,该器件具有快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗。芯片还具备出色的热稳定性和可靠性,能够承受极端的工作环境。
由于采用了优化的结构设计,MA0201CG680J160 在高频工作条件下表现出优异的性能,同时其封装形式允许高效的散热管理。这些特点使得它非常适合用于高功率密度的应用场合。
该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化系统中的电源模块
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路
其高效能和可靠性的特点使 MA0201CG680J160 成为现代电力转换和控制系统中的关键组件。
IRFZ44N
FDP5500
STP160N06LL