时间：2025/7/11 21:06:32
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MA0201CG2R7D250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率电子器件，专为高频开关应用设计。该型号属于高电压、低导通电阻的增强型场效应晶体管（eGaN FET），适用于工业电源、通信设备及新能源领域。其封装形式和电气特性使其非常适合于高频DC-DC转换器、逆变器以及其他高效率功率转换电路。
该器件采用了先进的芯片制造工艺，具有出色的热性能和可靠性，能够显著提升系统的整体效率并降低能量损耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：25A
导通电阻：2.7mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：1500pF
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-247
MA0201CG2R7D250 的主要特点是高耐压能力与低导通电阻的结合，使得其在高频应用中表现出色。其低导通电阻降低了传导损耗，而高开关频率则允许使用更小体积的无源元件，从而缩小系统尺寸。
此外，该器件还具备快速开关特性，减少开关损耗，并且具有优秀的抗雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
此产品通过了多项可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高加速寿命测试（HALT）等，确保其在各种复杂工况下的使用寿命。
MA0201CG2R7D250 广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景，如数据中心服务器电源、通信基站电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电装置。
具体应用包括但不限于：高频DC-DC转换器、LLC谐振转换器、图腾柱PFC电路、无线充电模块和电机驱动控制器。凭借其优异的性能，该器件成为现代功率转换系统中的理想选择。
MA0201CG2R7D200
MA0201CG2R7D300
IRF540N
FDP5800
