MA0201CG200G250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关操作的场景中。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提升系统效率。
该型号中的具体参数定义如下:MA 表示制造商系列,0201 表示产品系列代号,CG200 表示特定设计版本与优化类型,G250 则表示最大漏源电压等级为 250V。
漏源电压(Vds):250V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.1Ω
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):1200pF
总功耗(Ptot):75W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
MA0201CG200G250 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少热损耗,从而提高整体效率。
2. 快速的开关速度,得益于较小的栅极电荷(Qg),可降低开关损耗。
3. 高击穿电压(250V)确保了在高压环境下的可靠运行。
4. 提供优异的热性能,通过优化封装设计和内部结构,增强了散热能力。
5. 支持宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适用于各种严苛环境条件下的应用。
6. 具备强大的抗静电能力,能够有效防止由于静电放电导致的损坏。
该芯片的应用领域十分广泛,主要包括但不限于以下方面:
1. 开关电源 (SMPS),用于 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 电机驱动控制,适用于家用电器、工业设备以及汽车电子中的无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
3. LED 照明驱动电路,提供高效的恒流或恒压输出。
4. 电池充电管理模块,支持快充协议及多阶段充电功能。
5. 各类保护电路,例如过流保护、短路保护等,保障系统的安全运行。
MA0201CG200G150, MA0201DG200G250