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MA0201CG200G250 发布时间 时间:2025/7/10 4:15:50 查看 阅读:11

MA0201CG200G250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关操作的场景中。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提升系统效率。
  该型号中的具体参数定义如下:MA 表示制造商系列,0201 表示产品系列代号,CG200 表示特定设计版本与优化类型,G250 则表示最大漏源电压等级为 250V。

参数

漏源电压(Vds):250V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):0.1Ω
  栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):1200pF
  总功耗(Ptot):75W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-220

特性

MA0201CG200G250 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少热损耗,从而提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,得益于较小的栅极电荷(Qg),可降低开关损耗。
  3. 高击穿电压(250V)确保了在高压环境下的可靠运行。
  4. 提供优异的热性能,通过优化封装设计和内部结构,增强了散热能力。
  5. 支持宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适用于各种严苛环境条件下的应用。
  6. 具备强大的抗静电能力,能够有效防止由于静电放电导致的损坏。

应用

该芯片的应用领域十分广泛,主要包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源 (SMPS),用于 AC-DC 和 DC-DC 转换。
  2. 电机驱动控制,适用于家用电器、工业设备以及汽车电子中的无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
  3. LED 照明驱动电路,提供高效的恒流或恒压输出。
  4. 电池充电管理模块,支持快充协议及多阶段充电功能。
  5. 各类保护电路,例如过流保护、短路保护等,保障系统的安全运行。

替代型号

MA0201CG200G150, MA0201DG200G250

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