时间：2024/3/26 17:03:21
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IR2111STRPBF是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的整体结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。提供内部死区以避免输出半桥的射穿。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压可达600伏。
专为自举操作设计的浮动通道
完全运行时的电压高达 600V
容许负瞬态电压高
不受 dV/dt 影响
栅极驱动供电电压范围：10 至 20V
双通道欠压锁定
3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容
防止交叉传导逻辑
双通道的匹配传播延迟
高边输出与 IN 输入同相
逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移
内部死区时间为 540ns
较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
关断输入将关闭两个通道
品牌：Infineon(英飞凌）
封装：8-SOIC
包装：圆盘
电压-供电：10V~20V
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：IR2111
HTSUS：8542.39.0001
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N沟道MOSFET
逻辑电压-VIL，VIH：8.3V，12.6V
电流-峰值输出（灌入，拉出）：250mA，500mA
输入类型：非反相
上升/下降时间（典型值）：80ns，40ns
高压侧电压-最大值（自举）：600V
产品应用：汽车级
湿气敏感性等级(MSL)：2（1年）
REACH状态：非REACH产品：
ECCN：EAR99
IR2111STRPBF原理图
IR2111STRPBF引脚图
IR2111STRPBF封装
