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IS43LQ16128A-062BLI 发布时间 时间:2025/12/28 18:11:51 查看 阅读:25

IS43LQ16128A-062BLI 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司推出的低功耗异步CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高性能CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和网络设备。该SRAM芯片容量为256Kbit(16位x16k),采用16引脚TSOP封装,适用于商业级和工业级温度范围。

参数

容量:256Kbit
  组织方式:16位 x 16K
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:62ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:16引脚 TSOP
  封装尺寸:8mm x 9.8mm
  封装引脚间距:0.5mm
  最大工作频率:约16MHz
  数据保持电压:最小1.5V
  功耗:典型值5mA(待机模式下低于10μA)

特性

IS43LQ16128A-062BLI 的核心优势在于其高速访问时间(62ns)和宽电压工作范围(2.3V至3.6V),使其能够适应多种供电环境并提供快速的数据存取性能。该器件支持异步操作,无需外部时钟控制,简化了接口设计。此外,该SRAM芯片在待机模式下的电流消耗极低,适合用于对功耗敏感的应用场景。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在恶劣环境下的稳定性与可靠性。芯片内部集成的控制信号(如片选CE、输出使能OE和写使能WE)使其能够灵活地集成到各种系统架构中。
  该SRAM具备高抗干扰能力,适用于工业自动化、通信模块、数据采集系统以及便携式设备等对性能和稳定性有较高要求的场合。此外,其TSOP封装体积小巧,有利于节省PCB空间,提高系统集成度。

应用

IS43LQ16128A-062BLI 主要应用于工业控制设备(如PLC和传感器节点)、网络通信设备(如路由器和交换机)、嵌入式系统(如手持终端和智能仪表)、消费类电子产品(如游戏设备和多媒体播放器)以及汽车电子系统(如车载导航和控制系统)。该SRAM芯片适用于需要快速数据存取和低功耗运行的场景。

替代型号

IS43LV16128A-062BLI
  CY62167EVAL45ZSXI
  IDT71V128SA70PFG

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IS43LQ16128A-062BLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口LVSTL
  • 时钟频率1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页18ns
  • 访问时间3.5 ns
  • 电压 - 供电1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳200-WFBGA
  • 供应商器件封装200-VFBGA(10x14.5)