MA0201CG100J250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他高效率电力电子应用。该器件采用了先进的封装技术以提升散热性能和电气特性,同时具备快速开关速度和低导通电阻的特点,能够显著降低功率损耗。
其设计旨在满足现代电源系统对小型化、高效率以及高性能的需求,特别适合用于数据中心、通信设备以及消费类电子产品的电源管理方案。
型号:MA0201CG100J250
类型:增强型场效应晶体管 (Enhancement Mode GaN FET)
最大漏源电压:650 V
连续漏极电流:10 A
导通电阻:10 mΩ
栅极电荷:70 nC
输入电容:1300 pF
开关频率:支持高达 5 MHz
工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃
封装形式:TO-247-4L
MA0201CG100J250 拥有以下关键特性:
1. 基于增强型氮化镓技术,提供卓越的开关性能和低导通损耗。
2. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行。
3. 极低的导通电阻使得在大电流条件下功耗更低,从而提高整体效率。
4. 小巧的封装设计有助于简化PCB布局并减少整体解决方案尺寸。
5. 具备快速的开关速度和较低的栅极电荷,可有效减少开关损耗。
6. 广泛的工作温度范围适应各种恶劣环境的应用需求。
这些特性共同使得 MA0201CG100J250 成为高效率、高密度电源设计的理想选择。
这款晶体管广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关器件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或高频切换元件。
3. 图形卡及服务器电源模块。
4. 无线充电器及便携式电子设备的适配器。
5. LED 驱动器及工业自动化控制电路。
由于其出色的电气性能和热管理能力,MA0201CG100J250 特别适合需要高效率和高频操作的应用场景。
MA0201CG120K250
MA0201DG100J250
GAN063-650WSA